技术参数/额定电压(DC)： | -20.0 V |
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技术参数/额定电流： | -2.50 A |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 115 mΩ |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 2.50 A |
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技术参数/上升时间： | 18 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 630pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/下降时间： | 20 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 2.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.85 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N7002ET1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
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2SK3018T106
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOT-323 |
ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
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