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其他/栅极电压Vgs:
2.5V@50uA
其他/Vgs(最大值):
±20V
其他/连续漏极电流Id:
80A(Ta)
其他/漏源极电压Vds:
60V
其他/栅极电荷Qg:
55nC@10V
其他/RdsOn(Max)@Id,Vgs:
7.7mOhms@80A,10V
其他/工作温度:
150℃(TJ)
其他/封装/外壳:
TO-263-3
其他/FET类型:
N-Channel
其他/Pd-功率耗散(Max):
96W(Ta)
符合标准/RoHS标准:
RoHS Compliant
符合标准/含铅标准:
Lead Free
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