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型号： IRFL110PBF

描述： VISHAY IRFL110PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

品牌： Vishay Semiconductor (威世)

封装： SOT-223

货期：

包装方式： Tube

标准包装数： 1

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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规格参数
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技术参数/额定电压(DC)：	100 V
技术参数/额定电流：	1.50 A
技术参数/额定功率：	3.1 W
技术参数/针脚数：	3
技术参数/漏源极电阻：	0.54 Ω
技术参数/极性：	N-Channel
技术参数/耗散功率：	3.1 W
技术参数/阈值电压：	4 V
技术参数/输入电容：	180pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds)：	100 V
技术参数/漏源击穿电压：	100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids)：	1.50 A
技术参数/上升时间：	16 ns
技术参数/输入电容(Ciss)：	180pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间：	9.4 ns
技术参数/工作温度(Max)：	150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：	-55 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：	2 W
封装参数/安装方式：	Surface Mount
封装参数/引脚数：	3
封装参数/封装：	SOT-223
外形尺寸/长度：	6.7 mm
外形尺寸/宽度：	3.7 mm
外形尺寸/高度：	1.45 mm
外形尺寸/封装：	SOT-223
物理参数/工作温度：	-55℃ ~ 150℃
其他/包装方式：	Tube
其他/制造应用：	电源管理, Power Management
符合标准/RoHS标准：	RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：	Lead Free

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
IRFL110	VISHAY (威世)	类似代替	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110PBF	VISHAY (威世)	功能相似	TO-261-4	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110PBF	Vishay Semiconductor (威世)	功能相似	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110PBF	Vishay Siliconix	功能相似	TO-261-4	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110PBF	Vishay Intertechnology	功能相似	TO-261	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110PBF	International Rectifier (国际整流器)	功能相似	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110PBF	Infineon (英飞凌)	功能相似		MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRFL110TR	Vishay Siliconix	完全替代	TO-261-4	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TR	Vishay Semiconductor (威世)	完全替代	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TR	VISHAY (威世)	完全替代	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TR	International Rectifier (国际整流器)	完全替代	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TRPBF	VISHAY (威世)	完全替代	TO-261-4	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TRPBF	International Rectifier (国际整流器)	完全替代	SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TRPBF	Infineon (英飞凌)	完全替代		MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
IRFL110TRPBF	Vishay Intertechnology	完全替代	SOT-223-3	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	PDF
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STN1NF10	ST Microelectronics (意法半导体)	功能相似	TO-261-4	STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V	PDF