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型号： RFD14N05SM

描述： Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

品牌： Harris

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型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
RFD14N05SM9A	Fairchild (飞兆/仙童)	功能相似	TO-252-3	ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05SM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装	PDF
IRF1404PBF	Infineon (英飞凌)	功能相似	TO-220-3	INFINEON IRF1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V	PDF
IRF2804PBF	IRF	功能相似		INFINEON IRF2804PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 V
IRF2804PBF	Infineon (英飞凌)	功能相似	TO-220-3	INFINEON IRF2804PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 V	PDF