技术参数/额定功率: | 2 W |
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技术参数/针脚数: | 8 |
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技术参数/漏源极电阻: | 0.073 Ω |
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技术参数/极性: | N-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 2 W |
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技术参数/阈值电压: | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 80 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 3.6A |
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技术参数/上升时间: | 10 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 660pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max): | 2 W |
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技术参数/下降时间: | 17 ns |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 2 W |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度: | 5 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tube |
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其他/制造应用: | Industrial, Power Management, 工业, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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![]() |
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SO-8 |
SOIC N-CH 80V 3.6A
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![]() |
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
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