技术参数/通道数： | 1 |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 34 mΩ |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 110 W |
|
技术参数/阈值电压： | 4 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 100 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 31A |
|
技术参数/上升时间： | 27 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1690pF @25V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 3 W |
|
技术参数/下降时间： | 13 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 3W (Ta), 110W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/封装： | TO-252-3 |
|
外形尺寸/长度： | 6.5 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
|
外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR3410PBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR3410PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
|
||
STD25NF10T4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
|
||
IRFR3410TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR3410TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价