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型号: QS8J5TR
描述: 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 5 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -2.5 V
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封 装: SMD-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.028 Ω

 

技术参数/极性:

Dual P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

1.5 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

5A

 

技术参数/上升时间:

40 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1100pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

600 mW

 

技术参数/下降时间:

55 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1250 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SMD-8

 

外形尺寸/封装:

SMD-8

 

物理参数/工作温度:

150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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