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型号: QS5U13TR
描述: 2.5V驱动N沟道+ SBD MOS FET特点QS5U13结合的N沟道MOSFET的在一个单一TSMT5包装的肖特基势垒二极管。低通态电阻与快速切换。低电压驱动(2.5V)。独立连接的肖特基势垒二极管具有低正向电压。应用..
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封 装: TSOT-23-5
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

30.0 V

 

技术参数/额定电流:

2.00 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/漏源极电阻:

0.11 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

1.25 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

30.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

2.00 A

 

技术参数/上升时间:

10 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

175pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

900 mW

 

技术参数/下降时间:

8 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-50 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1.25W (Ta)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

5

 

封装参数/封装:

TSOT-23-5

 

外形尺寸/长度:

2.9 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.6 mm

 

外形尺寸/高度:

0.85 mm

 

外形尺寸/封装:

TSOT-23-5

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-50℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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