技术参数/额定电压(DC)： | 5.00 V |
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技术参数/工作电压： | 1.80 V |
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技术参数/额定功率： | 180 mW |
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技术参数/正向电压： | 1.5 V |
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技术参数/波长： | 880 nm |
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技术参数/视角： | 120° |
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技术参数/峰值波长： | 880 nm |
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技术参数/耗散功率： | 180 W |
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技术参数/上升时间： | 1.00 µs |
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技术参数/测试电流： | 100 mA |
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技术参数/正向电流： | 100 mA |
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技术参数/正向电流(Max)： | 100 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 100 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | PLCC-2 |
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外形尺寸/长度： | 3.4 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.1 mm |
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外形尺寸/封装： | PLCC-2 |
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物理参数/颜色： | Infrared |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 100℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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VSMF3710-GS08
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | PLCC-2 |
高速红外发光二极管，符合RoHS ， 890纳米， GaAlAs的双异质 High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero
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VSML3710-GS08
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VISHAY (威世) | 功能相似 | PLCC-2 |
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
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||
VSML3710-GS08
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | PLCC-2 |
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
|
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VSML3710-GS08
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | LCC |
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
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VSML3710-GS08
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Vishay Dale (威世达勒) | 功能相似 |
高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
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