技术参数/额定功率： | 1.5 W |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0059 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.8 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 15A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2590pF @25V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.98 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.99 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.57 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Battery Protection, Load Switch Low Side, 计算机和计算机周边, Power Management, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Load Switch High Side |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IFC | 类似代替 |
INFINEON IRF9321TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -15A, SOIC
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IRF9321TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRF9321TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -15A, SOIC
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SI4425BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SO-8 |
VISHAY SI4425BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV
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FDS6673BZ
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6673BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V
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