技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 22 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 120 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 50.0 A |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263 |
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外形尺寸/封装： | TO-263 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQB50N06TM
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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