技术参数/额定电压(DC)： | 60.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 52.4 A |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.017 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 121 W |
|
技术参数/阈值电压： | 2.5 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 60.0 V |
|
技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 52.4 A |
|
技术参数/上升时间： | 380 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1630pF @25V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 3.75 W |
|
技术参数/下降时间： | 145 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 3.75W (Ta), 121W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-263-3 |
|
外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 9.65 mm |
|
外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQB50N06TM
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-263-3 |
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价