技术参数/耗散功率： | 3.75 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/上升时间： | 380 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1250pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3.75 W |
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技术参数/下降时间： | 145 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3750 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDD5670
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-252-3 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FQB50N06TM
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-263-3 |
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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FQB50N06TM
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-263-3 |
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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