技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 100mA |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 30 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | TSSOP |
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外形尺寸/长度： | 2.2 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.35 mm |
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外形尺寸/高度： | 1 mm |
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外形尺寸/封装： | TSSOP |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PUMH18
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Nexperia (安世) | 类似代替 | UMT |
双电阻器双数字晶体管，Nexperia ### 数字晶体管，Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PUMH13
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Nexperia (安世) | 完全替代 | SC-88 |
NXP PUMH13 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TSSOP |
双电阻器双数字晶体管，Nexperia ### 数字晶体管，Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PUMH11
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Nexperia (安世) | 完全替代 | UMT |
NXP PUMH11 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
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PUMH11
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-363 |
NXP PUMH11 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
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PUMH11
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Philips (飞利浦) | 完全替代 | SOT-363 |
NXP PUMH11 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
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