技术参数/极性： | NPN+PNP |
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技术参数/耗散功率： | 0.3 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 20mA |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 80 @5mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 300 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | SOT-363-6 |
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外形尺寸/高度： | 1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-363-6 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PUMD2,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363-6 |
Nexperia PUMD2,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
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MUN5313DW1T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5313DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88
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