芯片AI顾问
技术参数/电源电压(DC)： | 12.0 V |
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技术参数/额定功率： | 22 W |
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技术参数/输出接口数： | 1 |
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技术参数/输入电压(DC)： | 10.8V ~ 13.2V |
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技术参数/输出电压： | 0.55V ~ 1.8V |
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技术参数/输出电流： | 12 A |
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技术参数/易燃性等级： | UL 94 V-0 |
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技术参数/静态电流： | 10.0 mA |
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技术参数/拓扑结构： | Buck |
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技术参数/输入电压(Max)： | 13.2 V |
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技术参数/输入电压(Min)： | 10.8 V |
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技术参数/输出电流(Max)： | 12 A |
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技术参数/额定功率(Max)： | 22 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 10 |
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封装参数/封装： | SMD-10 |
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外形尺寸/长度： | 34.8 mm |
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外形尺寸/宽度： | 15.8 mm |
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外形尺寸/高度： | 9.57 mm |
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外形尺寸/封装： | SMD-10 |
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物理参数/重量： | 3.70 g |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PTH12010YAST
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TI (德州仪器) | 完全替代 | DIP-10 |
15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES
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PTH12010YAZ
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TI (德州仪器) | 完全替代 | DIP-10 |
15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES
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PTH12010YAZ
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Artesyn Embedded Technologies (雅特生) | 完全替代 | SMD-10 |
15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES
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TI (德州仪器) | 完全替代 | DIP-10 |
15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES
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