技术参数/额定功率： | 11 W |
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技术参数/输出接口数： | 1 |
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技术参数/输出电压： | 0.55V ~ 1.8V |
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技术参数/输出电流： | 6 A |
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技术参数/输出功率： | 10.8 W |
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技术参数/输入电压(Max)： | 3.65 V |
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技术参数/输入电压(Min)： | 2.95 V |
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技术参数/输出电流(Max)： | 6 A |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | SMD-6 |
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外形尺寸/封装： | SMD-6 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | ITE（商业） |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PTH03050YAZ
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Artesyn Embedded Technologies (雅特生) | 完全替代 | SMD-6 |
DDR 存储器电源解决方案，Texas Instruments 专门设计用于 DDR 和 QDR 存储器应用中的总线端接。 ### DDR 存储器电源解决方案，Texas Instruments
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PTH03050YAZ
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TI (德州仪器) | 完全替代 | DIP-6 |
DDR 存储器电源解决方案，Texas Instruments 专门设计用于 DDR 和 QDR 存储器应用中的总线端接。 ### DDR 存储器电源解决方案，Texas Instruments
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PTH03050YAZT
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Emerson Network Power | 完全替代 | 22.1 mm x 12.57 mm x 8.5 mm |
非隔离式DC/DC转换器 6A 3.3V-In Bus Term Pwr Mdl for DDR/QDR
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PTH03050YAZT
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TI (德州仪器) | 完全替代 | DIP-6 |
非隔离式DC/DC转换器 6A 3.3V-In Bus Term Pwr Mdl for DDR/QDR
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Artesyn Embedded Technologies (雅特生) | 完全替代 | SMD-6 |
非隔离式DC/DC转换器 6A 3.3V-In Bus Term Pwr Mdl for DDR/QDR
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