技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 92A |
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技术参数/上升时间： | 21 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2651pF @30V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 13 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 149000 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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符合标准/RoHS标准： |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPP11N80C3
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
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