技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.00816 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 211 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 4454pF @50V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 211 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 211 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/长度： | 10.3 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 16 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRFB4410PBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET，Infineon ### 电动机控制 MOSFET Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET 同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFB4410ZPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4410ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
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