技术参数/漏源极电阻： | 0.0059 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 149 W |
|
技术参数/阈值电压： | 3 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
|
技术参数/上升时间： | 21 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 2651pF @30V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 149 W |
|
技术参数/下降时间： | 13 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 149W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-220-3 |
|
外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Rail, Tube |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NDP7060
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价