技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.00155 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 97 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.7 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 100 A |
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技术参数/上升时间： | 65 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3980pF @12V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 97 W |
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技术参数/下降时间： | 28 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 97W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-669 |
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外形尺寸/宽度： | 4.1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-669 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HAT2168H-EL-E
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | SOT-669 |
硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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