技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0308 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 74 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 28.1A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1847pF @50V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 74 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-669 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-669 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用： | Consumer Electronics, Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Industrial |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN8R5-60YS
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-669 |
NXP PSMN8R5-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 V
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PH20100S,115
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-669 |
PH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET
|
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PSMN020-100YS
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-669 |
NXP PSMN020-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 3 V
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PSMN017-60YS
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-669 |
NXP PSMN017-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 12.3 mohm, 10 V, 3 V
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