技术参数/额定电压(DC): | -60.0 V |
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技术参数/额定电流: | -300 mA |
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技术参数/极性: | Dual P-Channel, P-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 625 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 60 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 100 @150mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max): | 625 mW |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-226-3 |
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外形尺寸/封装: | TO-226-3 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Obsolete |
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其他/包装方式: | Bulk |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PN2907ABU 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFE
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92 |
30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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ETC | 类似代替 |
30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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