技术参数/频率： | 35 MHz |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 500 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 0.15A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 50 @50mA, 10V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 100 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 300 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 100 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/宽度： | 1.4 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Power Management, Industrial, Signal Processing, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Automotive, Lighting |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZV85-C12,113
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | DO-41 |
单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 200 °C
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||
BZV85-C12,113
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | DO-41 |
单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 200 °C
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||
BZV85-C12
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | DO-41 |
NXP BZV85-C12 单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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PMBTA45
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23 |
NXP
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