技术参数/针脚数: | 3 |
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技术参数/极性: | NPN |
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技术参数/耗散功率: | 250 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 300 V |
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技术参数/集电极最大允许电流: | 0.1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 25 |
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技术参数/直流电流增益(hFE): | 40 |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 0.25 W |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | SOT-23 |
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外形尺寸/长度: | 3 mm |
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外形尺寸/宽度: | 1.4 mm |
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外形尺寸/高度: | 1 mm |
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外形尺寸/封装: | SOT-23 |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用: | Communications & Networking, 通信与网络 |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2015/12/17 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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AnBon (台湾安邦) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
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Rectron Semiconductor | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
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![]() |
先科ST (先科) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
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![]() |
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST42MTF 晶体管, NPN
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST42MTF 晶体管, NPN
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