技术参数/频率： | 40 MHz |
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技术参数/电源电压(DC)： | 5.00 V, 5.50 V (max) |
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技术参数/时钟频率： | 40.0 MHz |
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技术参数/RAM大小： | 512 B |
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技术参数/位数： | 8 |
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技术参数/耗散功率： | 1000 mW |
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技术参数/I/O引脚数： | 25 |
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技术参数/存取时间： | 40.0 µs |
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技术参数/内核架构： | PIC |
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技术参数/内核子架构： | PIC18 |
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技术参数/模数转换数(ADC)： | 1 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1000 mW |
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技术参数/电源电压(Max)： | 5 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 2 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 28 |
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封装参数/封装： | SOIC-28 |
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外形尺寸/长度： | 17.87 mm |
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外形尺寸/宽度： | 7.49 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.31 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-28 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PIC18LF2221-I/SO
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Microchip (微芯) | 类似代替 | SOIC-28 |
PIC18 系列 512 B RAM 4 kB 闪存 8位 增强型 微控制器 - SOIC-28
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