技术参数/额定电压(DC): | -30.0 V |
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技术参数/额定电流: | -2.30 A |
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技术参数/耗散功率: | 2 W |
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技术参数/输入电容: | 250 pF |
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技术参数/栅电荷: | 25.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 30.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 2.30 A |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 1 |
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封装参数/封装: | SO-8 |
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外形尺寸/封装: | SO-8 |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Tape, Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOP-8 |
Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
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![]() |
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOIC-8 |
SO P-CH 30V 2.3A
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