技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 250 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 75 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 75A |
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技术参数/上升时间： | 67 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 8250pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 250 W |
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技术参数/下降时间： | 74 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 250W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Rail, Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDP047N08
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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