技术参数/漏源极电阻： | 0.056 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 6.25 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 150 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.00 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1150pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 6.25 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 6.25W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.45 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Philips (飞利浦) | 完全替代 |
的TrenchMOS ™标准水平FET TrenchMOS⑩ standard level FET
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PHK5NQ15T
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SO |
的TrenchMOS ™标准水平FET TrenchMOS⑩ standard level FET
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FDS2572
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V
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