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型号： PHD101NQ03LT
描述： NXP PHD101NQ03LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 1.9 V
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品 牌： NXP (恩智浦)
封 装： TO-252
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
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  • 数量： 库存(1351) 起订量(1)
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技术参数/针脚数：

3

 

技术参数/漏源极电阻：

5 mΩ

 

技术参数/极性：

N-Channel

 

技术参数/耗散功率：

166 W

 

技术参数/阈值电压：

1.9 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds)：

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids)：

75A

 

技术参数/工作温度(Max)：

175 ℃

 

封装参数/封装：

TO-252

 

外形尺寸/封装：

TO-252

 

其他/产品生命周期：

Unknown

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/REACH SVHC标准：

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本：

2015/12/17

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BUK7207-30B,118 BUK7207-30B,118 NXP (恩智浦) 功能相似 TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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BUK7207-30B,118 BUK7207-30B,118 Nexperia (安世) 功能相似 TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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