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型号： PHD101NQ03LT
描述： NXP PHD101NQ03LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 1.9 V
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品 牌： NXP (恩智浦)
封 装： TO-252
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
2.03  元 2.03元
5+:
￥ 2.7405
25+:
￥ 2.5375
50+:
￥ 2.3954
100+:
￥ 2.3345
500+:
￥ 2.2939
2500+:
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5000+:
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价格
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技术参数/针脚数：

3

 

技术参数/漏源极电阻：

5 mΩ

 

技术参数/极性：

N-Channel

 

技术参数/耗散功率：

166 W

 

技术参数/阈值电压：

1.9 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds)：

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids)：

75A

 

技术参数/工作温度(Max)：

175 ℃

 

封装参数/封装：

TO-252

 

外形尺寸/封装：

TO-252

 

其他/产品生命周期：

Unknown

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/REACH SVHC标准：

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本：

2015/12/17

 

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