技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 75 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 55 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 40.0 A |
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技术参数/上升时间： | 180 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1992pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 75 W |
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技术参数/下降时间： | 134 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 75W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 5 |
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封装参数/封装： | SOT-669 |
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外形尺寸/封装： | SOT-669 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PSMN3R3-40YS
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-669 |
NXP PSMN3R3-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V
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PSMN8R5-60YS
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-669 |
NXP PSMN8R5-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 V
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||
PSMN3R3-40YS
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-669 |
NXP PSMN3R3-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V
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PSMN017-60YS
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-669 |
NXP PSMN017-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 12.3 mohm, 10 V, 3 V
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