技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 62.5 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 25 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 100A |
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技术参数/上升时间： | 92 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 4470pF @12V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 62.5 W |
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技术参数/下降时间： | 37 ns |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 62.5W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装： | Power-SO8 |
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外形尺寸/封装： | Power-SO8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Nexperia (安世) | 类似代替 | 5 |
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
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PH2525L,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-669 |
LFPAK N-CH 25V 100A
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HAT2168H-EL-E
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | SOT-669 |
硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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