技术参数/漏源极电压(Vds)： | 500 V |
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技术参数/上升时间： | 38 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 850pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 42 W |
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技术参数/下降时间： | 33 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 42 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.36 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/高度： | 16.07 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDPF5N50NZ
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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