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型号: PD55003S-E
描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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封 装: PowerSO-10RF
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/频率:

500 MHz

 

技术参数/额定电压(DC):

40.0 V

 

技术参数/额定电流:

2.5 A

 

技术参数/耗散功率:

31.7 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

2.50 A

 

技术参数/输出功率:

3 W

 

技术参数/增益:

17 dB

 

技术参数/测试电流:

50 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss):

36pF @12.5V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

165 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

31700 mW

 

技术参数/额定电压:

40 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

PowerSO-10RF

 

外形尺寸/长度:

7.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.4 mm

 

外形尺寸/高度:

3.5 mm

 

外形尺寸/封装:

PowerSO-10RF

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 165℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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PD55003-E PD55003-E ST Microelectronics (意法半导体) 完全替代 PowerSO-10RF
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