技术参数/频率： | 180 MHz |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/极性： | NPN |
|
技术参数/耗散功率： | 390 mW |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 30 V |
|
技术参数/集电极最大允许电流： | 2.6A |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 |
|
技术参数/直流电流增益(hFE)： | 500 |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 1100 mW |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-23 |
|
外形尺寸/长度： | 3 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 1.4 mm |
|
外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-23 |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
|
其他/制造应用： | Automotive, Power Management, Industrial, Consumer Electronics, Signal Processing |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4032NT,215
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PBSS4032NT,215 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 600 mW, 2.6 A, 100 hFE
|
||
PBSS4041PT
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
|
||
PBSS4021PT
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
|
||
PBSS4041NT
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价