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描述: INFINEON IPB50R140CPATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-263-3
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技术参数/额定功率:

25 W

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.13 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

192 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

550 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

500 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

23A

 

技术参数/上升时间:

14 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2540pF @100V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

8 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

192 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.25 mm

 

外形尺寸/高度:

4.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Alternative Energy, 计算机和计算机周边, 替代能源, 通信与网络, Power Management, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, 电源管理, Computers & Computer Peripherals

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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