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型号: IPB027N10N3 G
描述: INFINEON IPB027N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0023 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

300 W

 

技术参数/阈值电压:

2 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

100 V

 

技术参数/上升时间:

58 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

11100pF @50V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

28 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

300000 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.25 mm

 

外形尺寸/高度:

4.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Uninterruptable power supplies (UPS), Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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