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型号: MRFE6P9220HR3
描述: Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 865-900MHz, 47W Avg., 28V
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封 装: NI-860C3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/频率:

880 MHz

 

技术参数/额定电流:

10 µA

 

技术参数/无卤素状态:

Halogen Free

 

技术参数/输出功率:

47 W

 

技术参数/增益:

20 dB

 

技术参数/测试电流:

1.6 A

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1060pF @28V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

225 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/额定电压:

66 V

 

封装参数/安装方式:

Screw

 

封装参数/引脚数:

5

 

封装参数/封装:

NI-860C3

 

外形尺寸/高度:

5.69 mm

 

外形尺寸/封装:

NI-860C3

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR3 Freescale (飞思卡尔) 类似代替 NI-860C3
RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856
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MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR3 NXP (恩智浦) 类似代替 NI-860C3
RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856
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