技术参数/击穿电压： | 120 V|114 V |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/正向电压： | 3.5 V |
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技术参数/钳位电压： | 165 V |
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技术参数/测试电流： | 1 mA |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 600 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 114 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/工作结温： | -55℃ ~ 150℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-214AA |
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外形尺寸/长度： | 4.57 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.94 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.44 mm |
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外形尺寸/封装： | DO-214AA |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Sunmate | 完全替代 | DO-214AA |
硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
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P6SMBJ100A
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Sunmate | 功能相似 | DO-214AA |
Vbr=100V, 3.7A, 600W(1ms)
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Surge Components | 完全替代 | DO-214AA |
硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
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Bytes | 功能相似 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
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SMC | 功能相似 | DO-15 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
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P6KE120A
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-15 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
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P6KE120A
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-15 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
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World Products | 功能相似 | DO-15 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | DO-15 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
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