技术参数/工作电压： | 20.5 V |
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技术参数/击穿电压： | 22.8 V|22.8 V |
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技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/钳位电压： | 33.2 V |
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技术参数/测试电流： | 1 mA |
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技术参数/最大反向击穿电压： | 25.2 V |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 600 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 22.8 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | T-18 |
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外形尺寸/封装： | T-18 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Box |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Panjit (强茂) | 功能相似 | DO-15 |
硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
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P6KE24A
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HY Electronic | 功能相似 | DO-15 |
硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
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P6KE24A
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-15 |
硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
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Crydom (快达) | 功能相似 | DO-15-2 |
硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
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P6KE24A
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | DO-15 |
硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
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P6KE24ARLG
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | 017AA-01 |
Diode TVS Single Uni-Dir 20.5V 600W 2Pin Reel
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