技术参数/额定电压(DC)： | -60.0 V |
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技术参数/额定电流： | -600 mA |
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技术参数/极性： | PNP |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 60 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 0.6A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @150mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 625 mW |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 625 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-226-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-226-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PN2907ABU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
PN系列 PNP 625 mW 60 V 800 mA 通孔 通用 晶体管-TO-92-3
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BC33725TA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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