技术参数/供电电流: | 2.5 mA |
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技术参数/电路数: | 1 |
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技术参数/通道数: | 1 |
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技术参数/耗散功率: | 0.75 W |
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技术参数/共模抑制比: | 94 dB |
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技术参数/输入补偿漂移: | 1.00 µV/K |
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技术参数/带宽: | 1.50 MHz |
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技术参数/转换速率: | 1.60 V/μs |
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技术参数/增益频宽积: | 1.5 MHz |
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技术参数/输入补偿电压: | 150 µV |
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技术参数/输入偏置电流: | 0.5 pA |
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技术参数/工作温度(Max): | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -25 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 750 mW |
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技术参数/共模抑制比(Min): | 94 dB |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -25℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Micross | 类似代替 |
JFET 输入运算放大器,OPA Difet 系列 Texas Instruments 一系列高性能 Burr-Brown FET 输入运算放大器 这些设备具有一个利用电介隔离 FET (Difet®) 的输入级,可通过消除隔离接线泄漏显著降低输入偏置电流。 它们提供一个高速和高精密度的特殊组合,搭配超低输入电流。 典型的应用包括高精度仪器仪表、静电计和照片探测放大器、医疗设备和高精确度数据采集。 ### 运算放大器,Texas Instruments
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