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型号: OP801WSL
描述: 光电晶体管 Photo Transistor
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封 装: TO-18-2
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包装方式: Bulk
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技术参数/波长:

890 nm

 

技术参数/视角:

75°

 

技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

250 mW

 

技术参数/功耗:

250 mW

 

技术参数/上升时间:

7.00 µs

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

30 V

 

技术参数/额定功率(Max):

250 mW

 

技术参数/下降时间:

7 µs

 

技术参数/下降时间(Max):

7000 ns

 

技术参数/上升时间(Max):

7000 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

125 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

250 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-18-2

 

外形尺寸/高度:

5.13 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-18-2

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 125℃ (TA)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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