技术参数/频率： | 150 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 11.0 V |
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技术参数/额定电流： | 1.50 A |
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技术参数/额定功率： | 1 W |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 1000 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 110 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1.5A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 2000 @1A, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/增益带宽： | 150MHz (Min) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/长度： | 6.5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.5 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.6 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSP52T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
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