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描述: 40V,53A,10mΩ,双N沟道功率MOSFET
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封 装: DFN-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

3.1 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

12A

 

技术参数/上升时间:

20 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1225pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

3.1 W

 

技术参数/下降时间:

3 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

3100 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

DFN-8

 

外形尺寸/封装:

DFN-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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