技术参数/额定电压(DC)： | -20.0 V |
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技术参数/额定电流： | -430 mA |
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技术参数/漏源极电阻： | 1.00 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 250 mW |
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技术参数/输入电容： | 175 pF |
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技术参数/栅电荷： | 2.50 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±6.00 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 430 mA |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 175pF @16V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 250 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装： | SOT-563 |
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外形尺寸/封装： | SOT-563 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTZD3152PT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-563-6 |
20V,-430mA,双功率MOSFET
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