技术参数/额定电压(DC)： | 20.0 V |
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技术参数/额定电流： | 3.20 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 85.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.25 W |
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技术参数/输入电容： | 200 pF |
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技术参数/栅电荷： | 6.00 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±12.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 3.20 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 200pF @10V(Vds) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.25 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NTR4501NT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR NTR4501NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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NTR4501NT1G
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onsemi | 类似代替 | SOT23 |
ON SEMICONDUCTOR NTR4501NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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TY Semiconductor | 类似代替 |
功率MOSFET的20 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
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TY Semiconductor | 完全替代 |
3.2A,20V,N沟道MOSFET
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