技术参数/额定电压(DC)： | 20.0 V |
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技术参数/额定电流： | 7.00 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 17.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.81 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±12.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 7.00 A |
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技术参数/上升时间： | 25 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 630pF @16V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.39 W |
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技术参数/下降时间： | 25 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | TSSOP-8 |
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外形尺寸/长度： | 3.1 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.5 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.95 mm |
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外形尺寸/封装： | TSSOP-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTQD6968NR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TSSOP-8 |
7.0A,20V双功率MOSFET
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