技术参数/额定电压(DC)： | 60.0 V |
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技术参数/额定电流： | 60.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 14.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.4 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 60.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 60.0 A |
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技术参数/上升时间： | 181 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3220pF @25V(Vds) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.4 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP60NF06L
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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