技术参数/额定电压(DC)： | 30.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 7.00 A |
|
技术参数/漏源极电阻： | 23.0 mΩ |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 800mW (Ta) |
|
技术参数/阈值电压： | 3 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 30.0 V |
|
技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 7.00 A |
|
技术参数/上升时间： | 71.0 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1190pF @25V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 800 mW |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 800mW (Ta) |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 8 |
|
封装参数/封装： | SOIC-8 |
|
外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Obsolete |
|
其他/包装方式： | Tape |
|
其他/最小包装： | 2500 |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTMS7N03R2G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
7A,30V功率MOSFET
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价